第四百五十三章 要撤離東神大？這是要放棄研究1nm工藝光刻機了？

    第四百五十二章1nm工藝光刻機都搗鼓出來了，怎麼秦總師還一臉不滿意呢？

    極紫光的關鍵點在於什麼？

    經過一個月的研究，秦逍終於有了自己對極紫光的一種理解。

    而這其中，難度最大的，莫過於euvl光源的激發。

    所以，極紫外光刻技術，也被稱之為euv光刻，是目前全世界範圍內，最先進最前沿光刻機使用的一種光刻技術。

    而想要達成極紫光刻技術，最重要的一點就是不會產生輻射的光源激發。

    經過這段時間的研究，秦逍發現，中性原子和凝聚態物質不會產生euv輻射。

    但想要讓一種材料發光，首先需要做到的就是電離，因為極紫外光，只會被多個帶正電的離子束縛的電子產生。

    舉個例子，一個電子從+3碳離子ev的要求，這樣的電子比典型的價電子更緊密地結合。

    多價正離子只能存在於高溫高密度等離子體中，並且自身會強烈吸收euv。

    這，才是實現極紫光刻技術的關鍵。

    而且，euv光刻與當今使用比較廣泛，同屬於科技前沿的深紫外光刻有很大不同。

    euv可以吸收所有材料中的euv，因為它接近波長為13.5nm的軟x射線。

    因此，euv光刻必須在真空中進行，非真空狀態，也許就會導致euv光的損失。

    這些，就是秦逍這段時間的收穫。

    也許，相對來說還有很多地方有所缺陷，可開展第一次極紫光刻卻也是足夠了。

    實際運用，才是檢驗真理的唯一標準20，同樣的，也是發現問題的關鍵。

    實驗室中，林海源等人正在緊張的準備著各種儀器設備。

    與之前的實驗略顯不同，極紫光刻技術要求極高，能否一次成功，哪怕秦逍都是信心不大，這也就意味著，再進行實驗過程中的數據收集工作就變得至關重要。

    極紫光刻技術的問題出在哪裡，不算肉眼就能看出來的，需要借住各種儀器設備傳感器捕捉數據，通過數據來直觀的瞭解到一些信息，從這些信息中發現問題，解決問題，不斷地進行嘗試，修復，完善，最終，才有可能研發出真正地euv光刻機。

    知道這次實驗重要性的林海源等人，都很謹慎，生怕自己這裡出錯到底實驗不成功，或者無法捕捉到關鍵性的數據。

    兩個多小時的各種調試下來，發現沒有什麼問題的林海源等人，這才鬆了口氣，直接走到不遠處的辦公室。

    林海源抬手直接敲門:“秦總師，所有設備都調試好了。”

    此時此刻，秦逍還在查看之前的設計書，沒有發現問題的他，將設計書放下，朝著林海源等人點了點頭。

    隨後，起身朝著實驗室走去。

    實驗室中，除了必要的儀器設備之外，還有就是之前那臺大型的7nm工藝光刻機。

    而此刻，這臺7nm工藝光刻機已經被改造成了euv光刻機，至於能否成功，一切還得看這次實驗。

    除了這些，那就是位於一旁的大屏幕了。

    大屏幕上，各種數據羅列其上。

    秦逍，直接站在大屏幕前。

    看到秦逍站到大屏幕前，林海源等人都是呼吸一滯，緊張的望著。

    終於要開始了麼？

    幾人，從未想過，這一天會來的這麼早，來的這麼快。